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10,000
T A = 150°C
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T A = 150°C
DMP2035U
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T A = 125°C
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T A = 125°C
100
T A = 85°C
T A = 25°C
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T A = 85°C
T A = 25°C
10
1
T A = -55°C
10
1
T A = -55°C
0.1
1
2
3
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6
7
8
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1
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3
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8
100
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Gate-Source Leakage Current vs. Voltage
P W = 10 μ s
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Gate-Source Leakage Current vs. Voltage
10
R DS(on)
Limited
DC
1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
0.1
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
0.01
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 SOA, Safe Operation Area
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 158°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
t 2
D = 0.005
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 14 Transient Thermal Response
DMP2035U
Document number: DS31830 Rev. 4 - 2
5 of 7
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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